Биполярный транзистор KSB1116L Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KSB1116L
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
KSB1116L Datasheet (PDF)
ksb1116s.pdf

KSB1116SAudio Frequency Power Amplifier & Medium Speed SwitchingTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 VVCEO Collector-Emitter Voltage -50 VVEBO Emitter-Base Voltage -6 VIC Collector Current (DC) -1 AICP * Collector Curren
ksb1116 a.pdf

KSB1116/1116AAudio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching Complement to KSD1616/1616ATO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage : KSB1116 -60 V : KSB1116A -80 VVCEO Collector-Emitter Voltage : KSB1116 -50 V : KSB111
ksb1121.pdf

July 2005KSB1121PNP Epitaxial Planar Silicon TransistorHigh Current Driver Applications Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Current Capacity Fast Switching Speed Complement to KSD1621Marking1 1 2 1P Y W WSOT-891Weekly code1. Base 2. Collector 3. EmitterYear codehFE grageAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Pa
ksb1149.pdf

KSB1149Low Collector Saturation VoltageBuilt-in Damper Diode at E-C High DC Current Gain High Power Dissipation : PC=1.3W (Ta=25C)TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 100 V VEB
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: CSA1532C | NA21FY | TMPA812M4 | 2SC2070 | GES4073 | 2SC1982S | 2SC1981
History: CSA1532C | NA21FY | TMPA812M4 | 2SC2070 | GES4073 | 2SC1982S | 2SC1981



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018