Справочник транзисторов. KSB1121

 

Биполярный транзистор KSB1121 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSB1121
   Маркировка: 1121
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 32 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KSB1121 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  fairchild semi
ksb1121.pdfpdf_icon

KSB1121

July 2005KSB1121PNP Epitaxial Planar Silicon TransistorHigh Current Driver Applications Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Current Capacity Fast Switching Speed Complement to KSD1621Marking1 1 2 1P Y W WSOT-891Weekly code1. Base 2. Collector 3. EmitterYear codehFE grageAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Pa

 9.1. Size:52K  fairchild semi
ksb1116s.pdfpdf_icon

KSB1121

KSB1116SAudio Frequency Power Amplifier & Medium Speed SwitchingTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 VVCEO Collector-Emitter Voltage -50 VVEBO Emitter-Base Voltage -6 VIC Collector Current (DC) -1 AICP * Collector Curren

 9.2. Size:52K  fairchild semi
ksb1116 a.pdfpdf_icon

KSB1121

KSB1116/1116AAudio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching Complement to KSD1616/1616ATO-9211. Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage : KSB1116 -60 V : KSB1116A -80 VVCEO Collector-Emitter Voltage : KSB1116 -50 V : KSB111

 9.3. Size:46K  fairchild semi
ksb1149.pdfpdf_icon

KSB1121

KSB1149Low Collector Saturation VoltageBuilt-in Damper Diode at E-C High DC Current Gain High Power Dissipation : PC=1.3W (Ta=25C)TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 100 V VEB

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MMBT6521L | BF660R | 2N1223 | BF397 | 2SA1338-7 | 2N1377 | CSA968B

 

 
Back to Top

 


 
.