KSB546Y - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KSB546Y
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для KSB546Y
KSB546Y - технические параметры
ksb546.pdf
KSB546 TV Vertical Deflection Output Collector-Base Voltage VCBO = -200V Collector Current lC = -2A Collector Dissipation PC= 25W (TC=25 C) Complement to KSD401 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 200 V VCE
ksb546.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы... KSB1151Y , KSB1330 , KSB1366 , KSB1366G , KSB1366Y , KSB546 , KSB546O , KSB546R , 2SB817 , KSB564 , KSB564A , KSB564AG , KSB564AO , KSB564AY , KSB595 , KSB596 , KSB601 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880



