Справочник транзисторов. KSB601R

 

Биполярный транзистор KSB601R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSB601R
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSB601R

 

 

KSB601R Datasheet (PDF)

 8.1. Size:48K  fairchild semi
 ksb601.pdf

KSB601R KSB601R

KSB601Low Frequency Power Amplifier Medium Speed Switching Industrial Use Complement to KSD560TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage - 100 VVCEO Collector-Emitter Voltage - 100 VVEBO Emitter-Base Voltage - 7 VIC C

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC3320

 

 
Back to Top