KSB601R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSB601R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSB601R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB601R даташит

 8.1. Size:48K  fairchild semi
 ksb601.pdf pdf_icon

KSB601R

KSB601 Low Frequency Power Amplifier Medium Speed Switching Industrial Use Complement to KSD560 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 100 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC C

Другие транзисторы: KSB564A, KSB564AG, KSB564AO, KSB564AY, KSB595, KSB596, KSB601, KSB601O, D965, KSB707, KSB707O, KSB707R, KSB707Y, KSB708, KSB708O, KSB708R, KSB708Y