KSB708 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSB708  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSB708

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB708 даташит

 ..1. Size:57K  fairchild semi
 ksb707 ksb708.pdf pdf_icon

KSB708

KSB707/708 Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Industrial Use Complement to KSD568/569 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage B707 - 60 V B708 - 80 V VEBO Emitter-Ba

Другие транзисторы: KSB596, KSB601, KSB601O, KSB601R, KSB707, KSB707O, KSB707R, KSB707Y, 2SA1015, KSB708O, KSB708R, KSB708Y, KSB744, KSB744A, KSB744AO, KSB744AR, KSB744AY