KSB772R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KSB772R
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO126
KSB772R Datasheet (PDF)
ksb772.pdf
KSB772 Audio Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Complement to KSD882 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 30 V VEBO Emitter-Base Voltage - 5 V IC Collector Current (DC) - 3
ksb772.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы... KSB744AR , KSB744AY , KSB744O , KSB744R , KSB744Y , KSB772 , KSB772G , KSB772O , BD136 , KSB772Y , KSB794 , KSB794O , KSB794R , KSB794Y , KSB795 , KSB795O , KSB795R .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194



