Биполярный транзистор KSB795R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSB795R
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
Корпус транзистора: TO126
KSB795R Datasheet (PDF)
ksb798.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
July 2005KSB798PNP Epitaxial Silicon TransistorAudio Frequency Power Amplifier Collector Current : IC = -1A Collector Power Dissipation : PC = 2WMarking7 9 8P Y W WSOT-891Weekly code1. Base 2. Collector 3. EmitterYear codehFE grageAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 VVC
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .