Справочник транзисторов. KSB795R

 

Биполярный транзистор KSB795R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSB795R
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KSB795R

 

 

KSB795R Datasheet (PDF)

 9.1. Size:429K  fairchild semi
 ksb798.pdf

KSB795R KSB795R

July 2005KSB798PNP Epitaxial Silicon TransistorAudio Frequency Power Amplifier Collector Current : IC = -1A Collector Power Dissipation : PC = 2WMarking7 9 8P Y W WSOT-891Weekly code1. Base 2. Collector 3. EmitterYear codehFE grageAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -30 VVC

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .