Биполярный транзистор KSC2310O Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KSC2310O
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO92
Аналог (замена) для KSC2310O
KSC2310O Datasheet (PDF)
ksc2310.pdf

KSC2310High Voltage Power Amplifier Collector-Base Voltage : VCBO=200V Current Gain Bandwidth Product : fT=100MHzTO-92L11. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 200 VVCEO Collector-Emitter Voltage 150 VVEBO Emitter-Base Voltage 5
ksc2310.pdf

KSC2310 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE POWER AMPLIFIER Collector - Base Voltage VCBO=200V TO-92L Current Gain-Bandwidth Product fT=100MHzABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 ) Characteristic Symbol Rating UnitVCollector-Base Voltage VCBO 200VCollector-Emitter Voltage VCEO 150VEmitter-Base Voltage VEBO 5mACollector Current IC 50mWCollector Dissipation
ksc2316.pdf

KSC2316Audio Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Complement to KSA916TO-92L11. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 120 VVCEO Collector-Emitter Voltage 120 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 800
ksc2316.pdf

KSC2316 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAUDIO POWER AMPLIFIER APPLICATIONS Driver Stage Amplifier TO-92L Complement to KSA916ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 ) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 120 VCollector-Emitter Voltage VCEO 120 VEmitter-Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 800 mACollector Dissipation PC 900 mWJunction Temperature
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568