Биполярный транзистор KSC2316Y Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KSC2316Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
KSC2316Y Datasheet (PDF)
ksc2316.pdf

KSC2316Audio Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Complement to KSA916TO-92L11. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 120 VVCEO Collector-Emitter Voltage 120 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 800
ksc2316.pdf

KSC2316 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAUDIO POWER AMPLIFIER APPLICATIONS Driver Stage Amplifier TO-92L Complement to KSA916ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 ) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 120 VCollector-Emitter Voltage VCEO 120 VEmitter-Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 800 mACollector Dissipation PC 900 mWJunction Temperature
ksc2316.pdf

KSC2316 TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD11. EMITTER 2 3 2. COLLECTOR 3. BASE Features Driver stage amplifier 5.8006.200 Complement to KSA916 8.4008.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.9001.100Symbol Parameter Value Units0.4000.600VCBO Collector-Base Voltage 120 V 13.800VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V 14.200VEBO Emit
ksc2316 to-92l.pdf

KSC2316 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR3. BASE 4.700 2 3 5.1001Features Driver stage amplifier 7.8008.200 Complement to KSA916 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units0.3500.550VCBO Collector-Base Voltage 120 V 13.80014.200VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V VEBO Emitter-Base
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MJE344 | 2N3783 | MMBTA55LT1G | TIPL751A | CIL531 | BC109A | MJE5983
History: MJE344 | 2N3783 | MMBTA55LT1G | TIPL751A | CIL531 | BC109A | MJE5983



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667