KSC2333 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC2333  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC2333

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC2333 даташит

 ..1. Size:56K  fairchild semi
ksc2333.pdfpdf_icon

KSC2333

KSC2333 High Speed Switching Application Low Collector Saturation Voltage Specified of Reverse Biased SOA With Inductive Load TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base

 8.1. Size:40K  fairchild semi
ksc2331.pdfpdf_icon

KSC2333

KSC2331 Low Frequency Amplifier & Medium Speed Switching Complement to KSA931 High Collector-Base Voltage VCBO=80V Collector Current IC=700mA Collector Dissipation PC=1W TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage

 8.2. Size:38K  fairchild semi
ksc2330a.pdfpdf_icon

KSC2333

KSC2330A Color TV Chroma Output Collector-Base Voltage VCBO=400V Current Gain Bandwidth Product fT=50MHz (TYP.) TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7

 8.3. Size:52K  fairchild semi
ksc2335.pdfpdf_icon

KSC2333

KSC2335 High Speed, High Voltage Switching Industrial Use TO-220 1 NPN Epitaxial Silicon Transistor 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 500 V V CEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 7 A ICP *Collector Current (Puls

Другие транзисторы: KSC2330, KSC2330O, KSC2330R, KSC2330Y, KSC2331, KSC2331O, KSC2331R, KSC2331Y, 2SD718, KSC2333O, KSC2333R, KSC2333Y, KSC2334, KSC2334O, KSC2334R, KSC2334Y, KSC2335