KSC2333Y - описание и поиск аналогов

 

KSC2333Y - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSC2333Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSC2333Y

 

KSC2333Y - технические параметры

 7.1. Size:56K  fairchild semi
ksc2333.pdfpdf_icon

KSC2333Y

KSC2333 High Speed Switching Application Low Collector Saturation Voltage Specified of Reverse Biased SOA With Inductive Load TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base

 8.1. Size:40K  fairchild semi
ksc2331.pdfpdf_icon

KSC2333Y

KSC2331 Low Frequency Amplifier & Medium Speed Switching Complement to KSA931 High Collector-Base Voltage VCBO=80V Collector Current IC=700mA Collector Dissipation PC=1W TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage

 8.2. Size:38K  fairchild semi
ksc2330a.pdfpdf_icon

KSC2333Y

KSC2330A Color TV Chroma Output Collector-Base Voltage VCBO=400V Current Gain Bandwidth Product fT=50MHz (TYP.) TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7

 8.3. Size:52K  fairchild semi
ksc2335.pdfpdf_icon

KSC2333Y

KSC2335 High Speed, High Voltage Switching Industrial Use TO-220 1 NPN Epitaxial Silicon Transistor 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 500 V V CEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 7 A ICP *Collector Current (Puls

Другие транзисторы... KSC2330Y , KSC2331 , KSC2331O , KSC2331R , KSC2331Y , KSC2333 , KSC2333O , KSC2333R , 2SC2073 , KSC2334 , KSC2334O , KSC2334R , KSC2334Y , KSC2335 , KSC2335F , KSC2335O , KSC2335R .

History: KSC2333R

 

 
Back to Top

 


 
.