KSC2340 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC2340  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC2340

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC2340 даташит

 9.1. Size:40K  fairchild semi
ksc2331.pdfpdf_icon

KSC2340

KSC2331 Low Frequency Amplifier & Medium Speed Switching Complement to KSA931 High Collector-Base Voltage VCBO=80V Collector Current IC=700mA Collector Dissipation PC=1W TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage

 9.2. Size:41K  fairchild semi
ksc2316.pdfpdf_icon

KSC2340

KSC2316 Audio Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Complement to KSA916 TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 800

 9.3. Size:38K  fairchild semi
ksc2330a.pdfpdf_icon

KSC2340

KSC2330A Color TV Chroma Output Collector-Base Voltage VCBO=400V Current Gain Bandwidth Product fT=50MHz (TYP.) TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7

 9.4. Size:52K  fairchild semi
ksc2335.pdfpdf_icon

KSC2340

KSC2335 High Speed, High Voltage Switching Industrial Use TO-220 1 NPN Epitaxial Silicon Transistor 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 500 V V CEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 7 A ICP *Collector Current (Puls

Другие транзисторы: KSC2334O, KSC2334R, KSC2334Y, KSC2335, KSC2335F, KSC2335O, KSC2335R, KSC2335Y, B772, KSC2383, KSC2383O, KSC2383R, KSC2383Y, KSC2500, KSC2500A, KSC2500B, KSC2500C