Справочник транзисторов. KSC2340

 

Биполярный транзистор KSC2340 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSC2340
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для KSC2340

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC2340 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:40K  fairchild semi
ksc2331.pdfpdf_icon

KSC2340

KSC2331Low Frequency Amplifier & Medium Speed Switching Complement to KSA931 High Collector-Base Voltage : VCBO=80V Collector Current : IC=700mA Collector Dissipation : PC=1WTO-92L11. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage

 9.2. Size:41K  fairchild semi
ksc2316.pdfpdf_icon

KSC2340

KSC2316Audio Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Complement to KSA916TO-92L11. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 120 VVCEO Collector-Emitter Voltage 120 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 800

 9.3. Size:38K  fairchild semi
ksc2330a.pdfpdf_icon

KSC2340

KSC2330AColor TV Chroma Output Collector-Base Voltage : VCBO=400V Current Gain Bandwidth Product : fT=50MHz (TYP.)TO-92L11. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 400 VVCEO Collector-Emitter Voltage 400 VVEBO Emitter-Base Voltage 7

 9.4. Size:52K  fairchild semi
ksc2335.pdfpdf_icon

KSC2340

KSC2335High Speed, High Voltage Switching Industrial UseTO-2201NPN Epitaxial Silicon Transistor1.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 500 V V CEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 7 A ICP *Collector Current (Puls

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.