KSC2517O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC2517O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для KSC2517O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC2517O даташит

 9.1. Size:38K  fairchild semi
 ksc2500.pdf pdf_icon

KSC2517O

KSC2500 Medium Power Amplifier & Low Saturation TO-92L 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCES Collector-Emitter Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 10 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current (DC) 2 A ICP * Co

 9.2. Size:58K  samsung
 ksc2500.pdf pdf_icon

KSC2517O

KSC2500 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MEDIUM POWER AMPLIFIER TO-92L LOW SATURATION ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 ) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 30 V Collector-Emitter Voltage VCES 30 V Collector-Emitter Voltage VCBO 10 V Emitter-Base Voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 2 A Collector Current (Pulse) IC 5 A Base Current A IB 0.5 Collecto

Другие транзисторы: KSC2383R, KSC2383Y, KSC2500, KSC2500A, KSC2500B, KSC2500C, KSC2500D, KSC2517, 2SC2625, KSC2517R, KSC2517Y, KSC2518, KSC2518O, KSC2518R, KSC2518Y, KSC2669, KSC2669O