Биполярный транзистор KSC2785 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC2785
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
KSC2785 Datasheet (PDF)
ksc2785.pdf
KSC2785Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. Complement to KSA1175 Collector-Base Voltage : VCBO=60VTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC
ksc2785.pdf
KSC2785 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAUDIO FREQUENCY AMPLIFIERTO-92SHIGH FREQUENCY OSC. Complement to KSA1175 Collector-Base Voltage VCBO=60VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 ) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 60 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 150 mACollector Dissipation PC 250 mW
ksc2787.pdf
KSC2787FM/AM RF AMP, MIX, CONV, OSC, IF Collector-Emitter Voltage : VCEO=30V High Current Gain Bandwidth Product : fT=300MHz (TYP) Low Output Capacitance : Cob=2.0pF (TYP)TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 50 VVCEO Co
ksc2784.pdf
KSC2784Audio Frequency Low Noise Amplifier Complement to KSA1174TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 120 VVCEO Collector-Emitter Voltage 120 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 50 mAIB Base Current 10 mAPC
ksc2786.pdf
KSC2786TV PIF Amplifier, FM Tuner RF Amplifier, Mixer, Oscillator High Current Gain Bandwidth Product : fT=600MHz (TYP) High Power Gain : GPE=22dB at f=100MHzTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter
ksc2786.pdf
KSC2786 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORTV PIF AMPLIFIER, FM TUNER RF AMPLIFIER,TO-92SMIXER, OSCILLATOR High Current-Gain-Bandwidth Product fT=600MHz (Typ) High Power Gain GPE=22dB at f=100MHzABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 ) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 30 VCollector-Emitter Voltage VCEO 20 VEmitter-Base Voltage VEBO 4 VCollector Curr
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050