KSC3569 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC3569  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC3569

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC3569 даташит

 ..1. Size:57K  fairchild semi
ksc3569.pdfpdf_icon

KSC3569

KSC3569 High Speed Switching Application Low Collector Saturation Voltage Specified of Reverse Biased SOA With Inductive Loads TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base

 9.1. Size:153K  fairchild semi
ksc3503 2sc3503.pdfpdf_icon

KSC3569

March 2008 2SC3503/KSC3503 NPN Epitaxial Silicon Transistor Applications Audio, Voltage Amplifier and Current Source CRT Display, Video Output General Purpose Amplifier Features High Voltage VCEO= 300V Low Reverse Transfer Capacitance Cre= 1.8pF at VCB = 30V TO-126 1 Excellent Gain Linearity for low THD 1. Emitter 2.Collector 3.Base High Frequency

 9.2. Size:56K  fairchild semi
ksc3503.pdfpdf_icon

KSC3569

KSC3503 CRT Display, Video Output High Voltage VCEO=300V Low Reverse Transfer Capacitance Cre=1.8pF @ VCB=30V TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage 300 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V

 9.3. Size:55K  fairchild semi
ksc3552.pdfpdf_icon

KSC3569

KSC3552 High Voltage and High Reliabilty High Speed Switching Wide SOA TO-3P 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 12 A ICP Collector Current (

Другие транзисторы: KSC3503C, KSC3503D, KSC3503E, KSC3503F, KSC3552, KSC3552N, KSC3552O, KSC3552R, 2N2907, KSC388, KSC3953, KSC3953C, KSC3953D, KSC5020, KSC5020O, KSC5020R, KSC5020Y