Справочник транзисторов. KSC3569

 

Биполярный транзистор KSC3569 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSC3569
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO220F
 

 Аналог (замена) для KSC3569

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC3569 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  fairchild semi
ksc3569.pdfpdf_icon

KSC3569

KSC3569High Speed Switching Application Low Collector Saturation Voltage Specified of Reverse Biased SOA With Inductive LoadsTO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base

 9.1. Size:153K  fairchild semi
ksc3503 2sc3503.pdfpdf_icon

KSC3569

March 20082SC3503/KSC3503NPN Epitaxial Silicon TransistorApplications Audio, Voltage Amplifier and Current Source CRT Display, Video Output General Purpose Amplifier Features High Voltage : VCEO= 300V Low Reverse Transfer Capacitance : Cre= 1.8pF at VCB = 30VTO-1261 Excellent Gain Linearity for low THD1. Emitter 2.Collector 3.Base High Frequency:

 9.2. Size:56K  fairchild semi
ksc3503.pdfpdf_icon

KSC3569

KSC3503CRT Display, Video Output High Voltage : VCEO=300V Low Reverse Transfer Capacitance : Cre=1.8pF @ VCB=30VTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage 300 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V

 9.3. Size:55K  fairchild semi
ksc3552.pdfpdf_icon

KSC3569

KSC3552High Voltage and High Reliabilty High Speed Switching Wide SOATO-3P11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 VVEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Current (DC) 12 AICP Collector Current (

Другие транзисторы... KSC3503C , KSC3503D , KSC3503E , KSC3503F , KSC3552 , KSC3552N , KSC3552O , KSC3552R , A1266 , KSC388 , KSC3953 , KSC3953C , KSC3953D , KSC5020 , KSC5020O , KSC5020R , KSC5020Y .

History: TIP57

 

 
Back to Top

 


 
.