Биполярный транзистор KSC5021O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC5021O
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO220
KSC5021O Datasheet (PDF)
ksc5021.pdf
October 2008KSC5021NPN Silicon Transistor High Voltage and High Reliability High Speed Switching : tF = 0.1ms (Typ.) Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings TC = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units 800 VVCBO Collector-Base Voltage 500 VVCEO Collector-Emitter Voltage 7 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 AIC C
ksc5021p.pdf
KSC5021 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITYTO-220HIGH SPEED SWITCHING : tf = 0.1 (Typ)WIDE SOAABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 800 V Collector-Emitter Voltage VCEO 500 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 5 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 2 A1.Base 2.Collec
ksc5021.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSC5021 DESCRIPTION With TO-220C package High voltage and high reliability High speed switching Wide area of safe operation PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
