KSC5025R - описание и поиск аналогов

 

KSC5025R - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSC5025R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 160 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для KSC5025R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5025R - технические параметры

 8.1. Size:58K  fairchild semi
ksc5024.pdfpdf_icon

KSC5025R

KSC5024 High Voltage and High Reliabilty High Speed Switching Wide SOA TO-3P 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 800 V VCEO Collector-Emitter Voltage 500 V VEBO Emitter- Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 10 A ICP Collector Current (

 8.2. Size:302K  fairchild semi
ksc5021.pdfpdf_icon

KSC5025R

October 2008 KSC5021 NPN Silicon Transistor High Voltage and High Reliability High Speed Switching tF = 0.1ms (Typ.) Wide SOA TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings TC = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units 800 V VCBO Collector-Base Voltage 500 V VCEO Collector-Emitter Voltage 7 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 A IC C

 8.3. Size:120K  fairchild semi
ksc5026m.pdfpdf_icon

KSC5025R

January 2011 KSC5026M NPN Silicon Transistor Features High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOA TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (D

 8.4. Size:53K  fairchild semi
ksc5027.pdfpdf_icon

KSC5025R

KSC5027 High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOA TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre

Другие транзисторы... KSC5023R , KSC5023Y , KSC5024 , KSC5024O , KSC5024R , KSC5024Y , KSC5025 , KSC5025O , BC548 , KSC5025Y , KSC5026 , KSC5026N , KSC5026O , KSC5026R , KSC5027 , KSC5027F , KSC5027N .

 

 
Back to Top

 


 
.