KSC5030F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC5030F  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: ISOTO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC5030F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5030F даташит

 ..1. Size:142K  fairchild semi
 ksc5030f.pdf pdf_icon

KSC5030F

KSC5030F High Voltage Fast Switching Transistor Features Fast Speed Switching Wide Safe Operating Area TO-3PF 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 6 A ICP * Collector Current (Pulse) 20 A PC Collect

 ..2. Size:116K  inchange semiconductor
 ksc5030f.pdf pdf_icon

KSC5030F

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSC5030F DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 800V(Min) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Col

 7.1. Size:24K  samsung
 ksc5030pwd.pdf pdf_icon

KSC5030F

KSC5030 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILTY TO-3P HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO 1100 V Collector- Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter- Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 6 A Collector Current (Pulse) IC 20 A Base Current IB 3 A Collector Dissipation (TC=25

 8.1. Size:54K  fairchild semi
 ksc5039.pdf pdf_icon

KSC5030F

KSC5039 High Voltage Power Switch Switching Application TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 800 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 5 A ICP Collector Current (Pulse) 10 A IB Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSC5028N, KSC5028O, KSC5028R, KSC5029, KSC5029N, KSC5029O, KSC5029R, KSC5030, TIP41, KSC5030N, KSC5030O, KSC5030R, KSC5031, KSC5031N, KSC5031O, KSC5031R, KSC5032