Справочник транзисторов. KSC5042

 

Биполярный транзистор KSC5042 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSC5042
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO247
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5042 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:56K  fairchild semi
ksc5042f.pdfpdf_icon

KSC5042

KSC5042FHigh Voltage Switchihg Dynamic Focus Application High Collector-Emitter Breakdown Voltage : BVCEO=900V Small Cob =2.8pF (Typ.) Wide S.O.A High reliabilityTO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150

 9.1. Size:58K  fairchild semi
ksc5024.pdfpdf_icon

KSC5042

KSC5024High Voltage and High Reliabilty High Speed Switching Wide SOATO-3P11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 800 V VCEO Collector-Emitter Voltage 500 VVEBO Emitter- Base Voltage 7 VIC Collector Current (DC) 10 AICP Collector Current (

 9.2. Size:64K  fairchild semi
ksc5086 .pdfpdf_icon

KSC5042

KSC5086HIgh Definition Color Display Horizontal Equivalent CircuitDeflection Output C(Damper Diode Built In) High Collector-Base Voltage : BVCBO=1500V High Speed Switching : tF=0.1s (Typ.)BTO-3PF150 typ. 1.Base 2.Collector 3.EmitterENPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value

 9.3. Size:302K  fairchild semi
ksc5021.pdfpdf_icon

KSC5042

October 2008KSC5021NPN Silicon Transistor High Voltage and High Reliability High Speed Switching : tF = 0.1ms (Typ.) Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings TC = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units 800 VVCBO Collector-Base Voltage 500 VVCEO Collector-Emitter Voltage 7 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 AIC C

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 9018M | BUX77ASMD | STD01P | GSTU10040 | 2N1614 | TBC857

 

 
Back to Top

 


 
.