Справочник транзисторов. KSC5045

 

Биполярный транзистор KSC5045 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSC5045
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5045 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:56K  fairchild semi
ksc5042f.pdfpdf_icon

KSC5045

KSC5042FHigh Voltage Switchihg Dynamic Focus Application High Collector-Emitter Breakdown Voltage : BVCEO=900V Small Cob =2.8pF (Typ.) Wide S.O.A High reliabilityTO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150

 9.1. Size:58K  fairchild semi
ksc5024.pdfpdf_icon

KSC5045

KSC5024High Voltage and High Reliabilty High Speed Switching Wide SOATO-3P11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 800 V VCEO Collector-Emitter Voltage 500 VVEBO Emitter- Base Voltage 7 VIC Collector Current (DC) 10 AICP Collector Current (

 9.2. Size:64K  fairchild semi
ksc5086 .pdfpdf_icon

KSC5045

KSC5086HIgh Definition Color Display Horizontal Equivalent CircuitDeflection Output C(Damper Diode Built In) High Collector-Base Voltage : BVCBO=1500V High Speed Switching : tF=0.1s (Typ.)BTO-3PF150 typ. 1.Base 2.Collector 3.EmitterENPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value

 9.3. Size:302K  fairchild semi
ksc5021.pdfpdf_icon

KSC5045

October 2008KSC5021NPN Silicon Transistor High Voltage and High Reliability High Speed Switching : tF = 0.1ms (Typ.) Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings TC = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units 800 VVCBO Collector-Base Voltage 500 VVCEO Collector-Emitter Voltage 7 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 AIC C

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC2257A | BC337A-16 | TV37

 

 
Back to Top

 


 
.