Справочник транзисторов. KSC5046

 

Биполярный транзистор KSC5046 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSC5046
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5046 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:56K  fairchild semi
ksc5042f.pdfpdf_icon

KSC5046

KSC5042FHigh Voltage Switchihg Dynamic Focus Application High Collector-Emitter Breakdown Voltage : BVCEO=900V Small Cob =2.8pF (Typ.) Wide S.O.A High reliabilityTO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150

 9.1. Size:58K  fairchild semi
ksc5024.pdfpdf_icon

KSC5046

KSC5024High Voltage and High Reliabilty High Speed Switching Wide SOATO-3P11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 800 V VCEO Collector-Emitter Voltage 500 VVEBO Emitter- Base Voltage 7 VIC Collector Current (DC) 10 AICP Collector Current (

 9.2. Size:64K  fairchild semi
ksc5086 .pdfpdf_icon

KSC5046

KSC5086HIgh Definition Color Display Horizontal Equivalent CircuitDeflection Output C(Damper Diode Built In) High Collector-Base Voltage : BVCBO=1500V High Speed Switching : tF=0.1s (Typ.)BTO-3PF150 typ. 1.Base 2.Collector 3.EmitterENPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value

 9.3. Size:302K  fairchild semi
ksc5021.pdfpdf_icon

KSC5046

October 2008KSC5021NPN Silicon Transistor High Voltage and High Reliability High Speed Switching : tF = 0.1ms (Typ.) Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings TC = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units 800 VVCBO Collector-Base Voltage 500 VVCEO Collector-Emitter Voltage 7 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 AIC C

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: BFW97K | KT8143M | KSC900G | Q-00369C | BF883 | BUS48P | 2N3789X

 

 
Back to Top

 


 
.