Биполярный транзистор KSC5089 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC5089
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
Корпус транзистора: TO247
KSC5089 Datasheet (PDF)
ksc5089.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSC5089 DESCRIPTION High Collector-Base Voltage- : VCBO = 1500V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in high definition color display horizontal deflection output application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1
ksc5086 .pdf
KSC5086HIgh Definition Color Display Horizontal Equivalent CircuitDeflection Output C(Damper Diode Built In) High Collector-Base Voltage : BVCBO=1500V High Speed Switching : tF=0.1s (Typ.)BTO-3PF150 typ. 1.Base 2.Collector 3.EmitterENPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value
ksc5086.pdf
NPN TRIPLE DIFFUSEDKSC5086 PLANAR SILICON TRANSISTORHIGH DEFINITION COLOR DISPLAYTO-3PFHORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT(DAMPER DIODE BUILT IN) High Collector -Base Voltage (VCBO=1500V) High Speed Switching (tf=0.1usec Typ)ABSOLUTE MIXIMUM RATINGCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 1500 V Collector Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter Base Voltag
ksc5086.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSC5086 DESCRIPTION High Collector-Base Voltage- : VCBO = 1500V(Min) High Switching Speed Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for use in high definition color display horizontal deflection output application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCB
ksc5088.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSC5088 DESCRIPTION High Collector-Base Voltage- : VCBO = 1500V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in high definition color display horizontal deflection output application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050