KSC5089 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC5089  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC5089

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5089 даташит

 ..1. Size:125K  inchange semiconductor
 ksc5089.pdf pdf_icon

KSC5089

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSC5089 DESCRIPTION High Collector-Base Voltage- VCBO = 1500V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in high definition color display horizontal deflection output application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1

 8.1. Size:64K  fairchild semi
 ksc5086 .pdf pdf_icon

KSC5089

KSC5086 HIgh Definition Color Display Horizontal Equivalent Circuit Deflection Output C (Damper Diode Built In) High Collector-Base Voltage BVCBO=1500V High Speed Switching tF=0.1 s (Typ.) B TO-3PF 1 50 typ. 1.Base 2.Collector 3.Emitter E NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value

 8.2. Size:20K  samsung
 ksc5086.pdf pdf_icon

KSC5089

NPN TRIPLE DIFFUSED KSC5086 PLANAR SILICON TRANSISTOR HIGH DEFINITION COLOR DISPLAY TO-3PF HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT (DAMPER DIODE BUILT IN) High Collector -Base Voltage (VCBO=1500V) High Speed Switching (tf=0.1usec Typ) ABSOLUTE MIXIMUM RATING Characteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 1500 V Collector Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter Base Voltag

 8.3. Size:130K  inchange semiconductor
 ksc5086.pdf pdf_icon

KSC5089

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSC5086 DESCRIPTION High Collector-Base Voltage- VCBO = 1500V(Min) High Switching Speed Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for use in high definition color display horizontal deflection output application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSC5046, KSC5047, KSC5048, KSC5054, KSC5060, KSC5061, KSC5086, KSC5088, S8550, KSC5321, KSC5321F, KSC5326, KSC5327, KSC5328, KSC5337, KSC5337F, KSC5338