KSC5337F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC5337F  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC5337F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5337F даташит

 ..1. Size:26K  samsung
 ksc5337f.pdf pdf_icon

KSC5337F

KSC5337F NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY HIGH SPEED SWITCHING TO-220F WIDE SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Vltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 A Collector Current (DC) IC 8 A Collector Current (Pulse) IC 15 A Base Current IB 4 W Collector Di

 7.1. Size:25K  samsung
 ksc5337.pdf pdf_icon

KSC5337F

NPN TRIPLE DIFFUSED KSC5337 PLANER SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE POWER SWITCH TO-220 SWITCHING APPLICATION High Speed Switching Wide SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage VCEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 A Collector Current (DC) IC 8 A Collector Current (Pulse) IC 15 A

 7.2. Size:144K  inchange semiconductor
 ksc5337.pdf pdf_icon

KSC5337F

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSC5337 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR) CEO= 400V(Min) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collec

 8.1. Size:388K  fairchild semi
 ksc5338d.pdf pdf_icon

KSC5337F

May 2010 KSC5338D/KSC5338DW NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Features High Voltage Power Switch Switching Application Wide Safe Operating Area Built-in Free-Wheeling Diode Suitable for Electronic Ballast Application Small Variance in Storage Time Two Package Choices TO-220 or D2-PAK Equivalent Circuit D2-PAK C 1 B TO-220 E 1 1.Base 2.Coll

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSC5088, KSC5089, KSC5321, KSC5321F, KSC5326, KSC5327, KSC5328, KSC5337, 2SC2240, KSC5338, KSC5338F, KSC5367, KSC5367F, KSC815, KSC815G, KSC815O, KSC815R