Справочник транзисторов. KSC5338

 

Биполярный транзистор KSC5338 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSC5338
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для KSC5338

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5338 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  samsung
ksc5338.pdfpdf_icon

KSC5338

KSC5338 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE POWER SWITCHTO-220SWITCHING APPLICATION High Speed Switching Wide SOAABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1000 V Collector-Emitter Voltage VCEO 450 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 5 A1.Base 2.Collector 3.Emitter Collector Current (Pulse) IC 10 A

 ..2. Size:146K  inchange semiconductor
ksc5338.pdfpdf_icon

KSC5338

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSC5338 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR) CEO= 450V(Min) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collec

 0.1. Size:388K  fairchild semi
ksc5338d.pdfpdf_icon

KSC5338

May 2010KSC5338D/KSC5338DWNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorFeatures High Voltage Power Switch Switching Application Wide Safe Operating Area Built-in Free-Wheeling Diode Suitable for Electronic Ballast Application Small Variance in Storage Time Two Package Choices : TO-220 or D2-PAKEquivalent CircuitD2-PAKC1BTO-220E11.Base 2.Coll

 0.2. Size:153K  samsung
ksc5338d.pdfpdf_icon

KSC5338

KSC5338D NPN SILICON TRANSISTORTO-220HIGH VOLTAGE HIGH SPEED POWER SWITCH APPLICATION Wide S.O.A. Built-in Free-wheel Diode Suitable for ballast App;ication Low Variable Storage-time spreadABSOLUTE MIXIMUM RATINGCharacteristic Symbol Rating Unit 1.Base 2.Collector 3.Emitter Collector Base Voltage VCBO 1000 V Collector Emitter Voltage VCEO 450 VInternal schematic diagram

Другие транзисторы... KSC5089 , KSC5321 , KSC5321F , KSC5326 , KSC5327 , KSC5328 , KSC5337 , KSC5337F , 8550 , KSC5338F , KSC5367 , KSC5367F , KSC815 , KSC815G , KSC815O , KSC815R , KSC815Y .

 

 
Back to Top

 


 
.