KSC5338 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC5338  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSC5338

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC5338 даташит

 ..1. Size:23K  samsung
 ksc5338.pdf pdf_icon

KSC5338

KSC5338 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE POWER SWITCH TO-220 SWITCHING APPLICATION High Speed Switching Wide SOA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1000 V Collector-Emitter Voltage VCEO 450 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 5 A 1.Base 2.Collector 3.Emitter Collector Current (Pulse) IC 10 A

 ..2. Size:146K  inchange semiconductor
 ksc5338.pdf pdf_icon

KSC5338

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSC5338 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR) CEO= 450V(Min) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collec

 0.1. Size:388K  fairchild semi
 ksc5338d.pdf pdf_icon

KSC5338

May 2010 KSC5338D/KSC5338DW NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Features High Voltage Power Switch Switching Application Wide Safe Operating Area Built-in Free-Wheeling Diode Suitable for Electronic Ballast Application Small Variance in Storage Time Two Package Choices TO-220 or D2-PAK Equivalent Circuit D2-PAK C 1 B TO-220 E 1 1.Base 2.Coll

 0.2. Size:153K  samsung
 ksc5338d.pdf pdf_icon

KSC5338

KSC5338D NPN SILICON TRANSISTOR TO-220 HIGH VOLTAGE HIGH SPEED POWER SWITCH APPLICATION Wide S.O.A. Built-in Free-wheel Diode Suitable for ballast App;ication Low Variable Storage-time spread ABSOLUTE MIXIMUM RATING Characteristic Symbol Rating Unit 1.Base 2.Collector 3.Emitter Collector Base Voltage VCBO 1000 V Collector Emitter Voltage VCEO 450 V Internal schematic diagram

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSC5089, KSC5321, KSC5321F, KSC5326, KSC5327, KSC5328, KSC5337, KSC5337F, 2SC5198, KSC5338F, KSC5367, KSC5367F, KSC815, KSC815G, KSC815O, KSC815R, KSC815Y