2N3965 - описание и поиск аналогов

 

2N3965. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3965

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N3965

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3965 даташит

 9.1. Size:238K  rca
 2n396-a.pdf pdf_icon

2N3965

 9.2. Size:10K  semelab
 2n3964dcsm.pdf pdf_icon

2N3965

2N3964DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 45V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.2A C (0.0

 9.3. Size:43K  microelectronics
 2n3962.pdf pdf_icon

2N3965

 9.4. Size:43K  semicoa
 2n3960.pdf pdf_icon

2N3965

Data Sheet No. 2N3960 Generic Part Number Type 2N3960 2N3960 Geometry 0003 Polarity NPN REF MIL-PRF-19500/399 Qual Level JAN - JANTXV Features General-purpose low-power NPN silicon transistor. Housed in TO-18 case. Also available in chip form using the 0003 chip geometry. The Min and Max limits shown are per MIL-PRF-19500/399 which Semicoa meets in all cases.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3960UB, 2N3961, 2N3962, 2N3962CSM, 2N3963, 2N3963CSM, 2N3964, 2N3964CSM, 2SC5200, 2N3965CSM, 2N396A, 2N397, 2N3973, 2N3974, 2N3975, 2N3976, 2N3977

 

 

 

 

↑ Back to Top
.