KSD1692 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KSD1692 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000
Корпус транзистора: TO126
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KSD1692
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KSD1692 даташит
ksd1692.pdf
KSD1692 Feature High Dc Durrent Gain Low Collector Saturation Voltage Built-in a Damper Diode at E-C High Power Dissipation PC = 1.3W (Ta=25 C) TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Sym- Parameter Value Units bol VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitt
ksd1691.pdf
KSD1691 Feature Low Collector-Emtter Saturation Voltage & Large Collector Current High Power Dissipation PC = 1.3W (Ta=25 C) Complementary to KSB1151 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Volta
ksd1691.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
ksd1691.pdf
KSD1691(NPN) TO-126 Transistor TO-126 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 3 2 1 Features Low Collector-Emitter Saturation Voltage & Large Collector Current High Power Dissipation PC = 1.3W (Ta=25 C) 2.500 7.400 2.900 1.100 7.800 1.500 3.900 3.000 4.100 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters) 3.200 10.600 0.0
Другие транзисторы: KSD1621R, KSD1621S, KSD1621T, KSD1621U, KSD1691, KSD1691O, KSD1691Q, KSD1691Y, 2SD313, KSD1692G, KSD1692O, KSD1692Y, KSD1693, KSD1943, KSD1944, KSD2012, KSD2012G
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg





