Справочник транзисторов. KSD227

 

Биполярный транзистор KSD227 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSD227
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSD227

 

 

KSD227 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  fairchild semi
ksd227.pdf

KSD227
KSD227

KSD227Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA642 Collector Power Dissipation : PC=400mWTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Curre

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top