KSD227Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSD227Y  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSD227Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD227Y даташит

 8.1. Size:40K  fairchild semi
 ksd227.pdf pdf_icon

KSD227Y

KSD227 Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA642 Collector Power Dissipation PC=400mW TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Curre

Другие транзисторы: KSD1944, KSD2012, KSD2012G, KSD2012Y, KSD2058, KSD227, KSD227G, KSD227O, 13005, KSD261, KSD261G, KSD261O, KSD261R, KSD261Y, KSD288, KSD288O, KSD288R