KSD261 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSD261  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSD261

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD261 даташит

 ..1. Size:39K  fairchild semi
 ksd261.pdf pdf_icon

KSD261

KSD261 Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA643 Collector Power Dissipation PC=500mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Col

Другие транзисторы: KSD2012, KSD2012G, KSD2012Y, KSD2058, KSD227, KSD227G, KSD227O, KSD227Y, D209L, KSD261G, KSD261O, KSD261R, KSD261Y, KSD288, KSD288O, KSD288R, KSD288Y