KSD261 - описание и поиск аналогов

 

KSD261 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KSD261
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSD261

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD261 - технические параметры

 ..1. Size:39K  fairchild semi
 ksd261.pdf pdf_icon

KSD261

KSD261 Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA643 Collector Power Dissipation PC=500mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Col

Другие транзисторы... KSD2012 , KSD2012G , KSD2012Y , KSD2058 , KSD227 , KSD227G , KSD227O , KSD227Y , D209L , KSD261G , KSD261O , KSD261R , KSD261Y , KSD288 , KSD288O , KSD288R , KSD288Y .

 

 
Back to Top

 


 
.