Биполярный транзистор KSD363
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSD363
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора:
TO220
Аналоги (замена) для KSD363
KSD363
Datasheet (PDF)
..1. Size:60K fairchild semi
ksd363.pdf 
KSD363B/W TV Horizontal Deflection Output Collector-Base Voltage : VCBO=300V Collector Current : IC=6A Collector Dissipation : PC=40W(TC=25C)TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage 120
..2. Size:179K onsemi
ksd363.pdf 
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
..3. Size:134K inchange semiconductor
ksd363.pdf 
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD363 DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage- : V(BR)CBO= 300V(Min) Collector Current- IC= 6A Collector Power Dissipation- : PC= 40W@ TC= 25 APPLICATIONS Designed for B/W TV horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE
9.1. Size:61K fairchild semi
ksd362.pdf 
KSD362B/W TV Horizontal Deflection Output Collector-Base Voltage : VCBO=150V Collector Current : IC=5A Collector Dissipation : PC=40W(TC=25C)TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Voltage 70 V
9.2. Size:134K inchange semiconductor
ksd362.pdf 
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD362 DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage- : V(BR)CBO= 150V(Min) Collector Current- IC= 5A Collector Power Dissipation- : PC= 40W@ TC= 25 APPLICATIONS Designed for B/W TV horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE
Другие транзисторы... 2SA1801
, 2SA1802
, 2SA1802A
, 2SA1803
, 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, TIP35C
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, 2SA1806
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
.
