KSD363 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KSD363 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO220
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для KSD363
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KSD363 даташит
ksd363.pdf
KSD363 B/W TV Horizontal Deflection Output Collector-Base Voltage VCBO=300V Collector Current IC=6A Collector Dissipation PC=40W(TC=25 C) TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage 120
ksd363.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
ksd363.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD363 DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage- V(BR)CBO= 300V(Min) Collector Current- IC= 6A Collector Power Dissipation- PC= 40W@ TC= 25 APPLICATIONS Designed for B/W TV horizontal deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE
ksd362.pdf
KSD362 B/W TV Horizontal Deflection Output Collector-Base Voltage VCBO=150V Collector Current IC=5A Collector Dissipation PC=40W(TC=25 C) TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Voltage 70 V
Другие транзисторы: KSD288, KSD288O, KSD288R, KSD288Y, KSD362, KSD362N, KSD362O, KSD362R, 2SD669, KSD363O, KSD363R, KSD363Y, KSD401, KSD401G, KSD401O, KSD401R, KSD401Y
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m



