Биполярный транзистор KSD401G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSD401G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO220
KSD401G Datasheet (PDF)
ksd401.pdf
KSD401TV Vertical Deflection Output Collector-Base Voltage : VCBO=200V Collector Current : IC=2A Collector Dissipation : PC=25W(TC=25C) Complement to KSB546TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-
ksd401.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD401 DESCRIPTION Collector-Base Breakdown Voltage- : V(BR)CBO= 200V(Min) Collector Current- IC= 2A Collector Power Dissipation- : PC= 25W@ TC= 25 Complement to Type KSB546 APPLICATIONS Designed for TV Vertical deflection output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050