Справочник транзисторов. KSD5056

 

Биполярный транзистор KSD5056 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSD5056
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO247
 

 Аналог (замена) для KSD5056

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD5056 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  inchange semiconductor
ksd5056.pdfpdf_icon

KSD5056

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5056 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Vo

 8.1. Size:128K  inchange semiconductor
ksd5059.pdfpdf_icon

KSD5056

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5059 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collec

 8.2. Size:132K  inchange semiconductor
ksd5057.pdfpdf_icon

KSD5056

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5057 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Vo

 8.3. Size:128K  inchange semiconductor
ksd5058.pdfpdf_icon

KSD5056

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5058 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collec

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: ASY77RT | KSH117 | PBSS5140U | TP5551R | PBSS5350Z | 2N5666SMD05 | TIPL763A

 

 
Back to Top

 


 
.