Справочник транзисторов. KSD5058

 

Биполярный транзистор KSD5058 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSD5058
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO247

 Аналоги (замена) для KSD5058

 

 

KSD5058 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  inchange semiconductor
ksd5058.pdf

KSD5058
KSD5058

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5058 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collec

 8.1. Size:128K  inchange semiconductor
ksd5059.pdf

KSD5058
KSD5058

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5059 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collec

 8.2. Size:132K  inchange semiconductor
ksd5057.pdf

KSD5058
KSD5058

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5057 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Vo

 8.3. Size:132K  inchange semiconductor
ksd5056.pdf

KSD5058
KSD5058

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5056 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Vo

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top