Справочник транзисторов. KSD5059

 

Биполярный транзистор KSD5059 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSD5059
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO247
 

 Аналог (замена) для KSD5059

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD5059 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  inchange semiconductor
 ksd5059.pdf pdf_icon

KSD5059

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5059 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collec

 8.1. Size:132K  inchange semiconductor
 ksd5057.pdf pdf_icon

KSD5059

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5057 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Vo

 8.2. Size:128K  inchange semiconductor
 ksd5058.pdf pdf_icon

KSD5059

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5058 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collec

 8.3. Size:132K  inchange semiconductor
 ksd5056.pdf pdf_icon

KSD5059

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5056 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color monitor horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Vo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: TP1893R | BF423A3 | KD138B | TP5910 | 2SC1938 | TIPL761C | TIX3036

 

 
Back to Top

 


 
.