Справочник транзисторов. KSD5061

 

Биполярный транзистор KSD5061 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSD5061
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO247
 

 Аналог (замена) для KSD5061

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD5061 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  inchange semiconductor
 ksd5061.pdf pdf_icon

KSD5061

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5061 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage

 8.1. Size:121K  inchange semiconductor
 ksd5060.pdf pdf_icon

KSD5061

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5060 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage

 8.2. Size:117K  inchange semiconductor
 ksd5068.pdf pdf_icon

KSD5061

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5068 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collector-E

 8.3. Size:116K  inchange semiconductor
 ksd5065.pdf pdf_icon

KSD5061

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5065 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collector-E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSD5041P , KSD5041Q , KSD5049 , KSD5056 , KSD5057 , KSD5058 , KSD5059 , KSD5060 , 13009 , KSD5062 , KSD5064 , KSD5065 , KSD5066 , KSD5068 , KSD5070 , KSD5071 , KSD5072 .

History: DT1522 | 3DG2909 | D45H8 | FJY4001R | HLB120A

 

 
Back to Top

 


 
.