KSD5062 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSD5062  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSD5062

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD5062 даташит

 ..1. Size:121K  inchange semiconductor
 ksd5062.pdf pdf_icon

KSD5062

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5062 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage

 8.1. Size:121K  inchange semiconductor
 ksd5060.pdf pdf_icon

KSD5062

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5060 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage

 8.2. Size:120K  inchange semiconductor
 ksd5061.pdf pdf_icon

KSD5062

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5061 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage

 8.3. Size:117K  inchange semiconductor
 ksd5068.pdf pdf_icon

KSD5062

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor KSD5068 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applicaitions ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 1500 V VCEO Collector-E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSD5041Q, KSD5049, KSD5056, KSD5057, KSD5058, KSD5059, KSD5060, KSD5061, D882, KSD5064, KSD5065, KSD5066, KSD5068, KSD5070, KSD5071, KSD5072, KSD5074