Биполярный транзистор KSD526R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSD526R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO220
KSD526R Datasheet (PDF)
ksd526.pdf
April 2006KSD526NPN Epitaxial Silicon TransistorPower Amplifier Applications Complement to KSB596TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 80 VVCEO Collector-Emitter Voltage 80 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 4 AIB Base Current 0.4 APC
ksd526.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ