KSD526R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSD526R
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 90 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar KSD526R
KSD526R Datasheet (PDF)
ksd526.pdf
April 2006KSD526NPN Epitaxial Silicon TransistorPower Amplifier Applications Complement to KSB596TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 80 VVCEO Collector-Emitter Voltage 80 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 4 AIB Base Current 0.4 APC
ksd526.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
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