Биполярный транзистор KSD560Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSD560Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
Корпус транзистора: TO220
KSD560Y Datasheet (PDF)
ksd560.pdf
KSD560Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switching Industrial Use Complement to KSB601TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 150 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collect
ksd560.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
ksd560.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor KSD560DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 2000(Min) @I = 3.0AFE CLow Saturation VoltageComplement to Type KSB601Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequenc
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
