Справочник транзисторов. KSD5740

 

Биполярный транзистор KSD5740 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSD5740
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSD5740

 

 

KSD5740 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:62K  njs
ksd5703.pdf

KSD5740
KSD5740

 9.2. Size:83K  samsung
ksd5702.pdf

KSD5740
KSD5740

NPN TRIPLE DIFFUSEDKSD5702 PLANAR SILICON TRANSISTORCOLOR TV HORIZONTAL OUTPUTTO-3PFAPPLICATION (DAMPER DIODE BUILT IN) High Collector-Base Voltage (VCBO=1500V) High Switching Speed (tf. max=0.4uS)ABSOLUTE MIXIMUM RATINGCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 1500 V Collector Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top