KSD5741. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSD5741

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSD5741

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD5741 даташит

 9.1. Size:62K  njs
 ksd5703.pdf pdf_icon

KSD5741

 9.2. Size:83K  samsung
 ksd5702.pdf pdf_icon

KSD5741

NPN TRIPLE DIFFUSED KSD5702 PLANAR SILICON TRANSISTOR COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT TO-3PF APPLICATION (DAMPER DIODE BUILT IN) High Collector-Base Voltage (VCBO=1500V) High Switching Speed (tf. max=0.4uS) ABSOLUTE MIXIMUM RATING Characteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 1500 V Collector Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector

Другие транзисторы: KSD568O, KSD568R, KSD568Y, KSD569, KSD569O, KSD569R, KSD569Y, KSD5740, 2SC2625, KSD5742, KSD73, KSD73O, KSD73Y, KSD794, KSD794A, KSD794AO, KSD794AR