Справочник транзисторов. KSD5741

 

Биполярный транзистор KSD5741 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSD5741
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSD5741

 

 

KSD5741 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:62K  njs
ksd5703.pdf

KSD5741
KSD5741

 9.2. Size:83K  samsung
ksd5702.pdf

KSD5741
KSD5741

NPN TRIPLE DIFFUSEDKSD5702 PLANAR SILICON TRANSISTORCOLOR TV HORIZONTAL OUTPUTTO-3PFAPPLICATION (DAMPER DIODE BUILT IN) High Collector-Base Voltage (VCBO=1500V) High Switching Speed (tf. max=0.4uS)ABSOLUTE MIXIMUM RATINGCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 1500 V Collector Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top