KSE13006 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSE13006  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KSE13006

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSE13006 даташит

 ..1. Size:70K  samsung
 kse13006.pdf pdf_icon

KSE13006

KSE13006/13007 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION High Speed Switching TO-220 Suitable for Switching Regulator and Motor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit VCBO 600 V Collector Base Voltage KSE13006 V KSE13007 700 VCEO 300 V Collector Emitter Voltage KSE13006 V KSE13007 400 V Emitter Base Voltage VEB

 0.1. Size:48K  fairchild semi
 kse13006,13007.pdf pdf_icon

KSE13006

KSE13006/13007 High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor Control TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KSE13006 600 V KSE13007 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSE13006

 7.1. Size:47K  fairchild semi
 kse13003t.pdf pdf_icon

KSE13006

KSE13003T High Voltage Switch Mode Applications High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor Control TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC C

 7.2. Size:465K  fairchild semi
 kse13003.pdf pdf_icon

KSE13006

March 2008 KSE13003 NPN Silicon Transistor High Voltage Switch Mode Applications High Voltage Capability High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor Control TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings* TC = 25 C unless otherwise noted (notes_1) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSD986, KSD986O, KSD986R, KSD986Y, KSE13003, KSE13004, KSE13005, KSE13005F, S9018, KSE13007, KSE13007F, KSE13008, KSE13009, KSE13009F, KSE170, KSE171, KSE172