Справочник транзисторов. KSE350

 

Биполярный транзистор KSE350 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSE350
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KSE350

 

 

KSE350 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:37K  fairchild semi
kse350.pdf

KSE350 KSE350

KSE350High Voltage General Purpose Applications High Collector-Emitter Breakdown Voltage Suitable for Transformer Complement to KSE340TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 300 V

 ..2. Size:44K  samsung
kse350.pdf

KSE350 KSE350

KSE350 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH COLLECTOR-EMITTERTO-126SUSTAINING VOLTAGEHIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSEAPPLICATIONSSUITABLE FOR TRANSFORMERComplement to KSE340ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO -300 V Collector-Emitter Voltage VCEO -300 V Emitter- Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -500 mA Collect

 ..3. Size:554K  jilin sino
kse340 kse350.pdf

KSE350 KSE350

HIGH VOLTAGE COMPLEMENT TRANSISTORS RKSE340 KSE350 APPLICATIONS Audio Series Regulator General Purpose FEATURES High current capability High reliability RoHS RoHS pro

 ..4. Size:250K  inchange semiconductor
kse350.pdf

KSE350 KSE350

isc Silicon PNP Power Transistor KSE350DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter breakdown voltageLow Collector Saturation VoltageComplement to Type KSE340Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage general purpose applicationsSuitable for transformABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 0.1. Size:201K  inchange semiconductor
kse350j.pdf

KSE350 KSE350

isc Silicon PNP Power Transistor KSE350JDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter breakdown voltageLow Collector Saturation VoltageComplement to Type KSE340J100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage general purpose applicationsSuitable for transformABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top