KSE700 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSE700  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для KSE700

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSE700 даташит

 ..1. Size:52K  fairchild semi
 kse700.pdf pdf_icon

KSE700

KSE700/701/702/703 Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors High DC Current Gain hFE= 750 (Min.) @ IC= -1.5 and -2.0A DC Complement to KSE800/801/802/803 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Equivalent Circuit C Sym- Unit Parameter Value bol s VCB

Другие транзисторы: KSE45H-1, KSE45H-10, KSE45H-11, KSE45H-2, KSE45H-4, KSE45H-5, KSE45H-7, KSE45H-8, D882, KSE701, KSE702, KSE703, KSE800, KSE801, KSE802, KSE803, KSH112