Биполярный транзистор KSE800 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSE800
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Корпус транзистора: TO126
KSE800 Datasheet (PDF)
kse800.pdf
KSE800/801/802/803Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= 1.5 and 2.0A DC Complement to KSE700/701/702/703TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units VCBO Coll
kse800.pdf
NPN EPITAXIALKSE800/801/803 SILICON DARLINGTON TRANSISTORHIGH DC CURRENT GAINTO-126MIN hFE= 750 I = -1.5 and -2.0A DCCMONOLITHIC CONSTRUCTION WITHBUILT-IN BASE-EMITTER RESISTORSComplement to KSE700/701/702/703ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO : KSE800/801 60 V : KSE802/803 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO : K
kse800 kse801 kse802 kse803.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
kse800-803.pdf
KSE800/801/802/803Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= 1.5 and 2.0A DC Complement to KSE700/701/702/703TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units VCBO Coll
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050