Справочник транзисторов. KSE803

 

Биполярный транзистор KSE803 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSE803
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для KSE803

 

 

KSE803 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  onsemi
kse800 kse801 kse802 kse803.pdf

KSE803
KSE803

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 9.1. Size:52K  fairchild semi
kse800.pdf

KSE803
KSE803

KSE800/801/802/803Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= 1.5 and 2.0A DC Complement to KSE700/701/702/703TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units VCBO Coll

 9.2. Size:51K  fairchild semi
kse800-803.pdf

KSE803
KSE803

KSE800/801/802/803Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Resistors High DC Current Gain : hFE= 750 (Min.) @ IC= 1.5 and 2.0A DC Complement to KSE700/701/702/703TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedEquivalent CircuitCSymbol Parameter Value Units VCBO Coll

 9.3. Size:62K  samsung
kse800.pdf

KSE803
KSE803

NPN EPITAXIALKSE800/801/803 SILICON DARLINGTON TRANSISTORHIGH DC CURRENT GAINTO-126MIN hFE= 750 I = -1.5 and -2.0A DCCMONOLITHIC CONSTRUCTION WITHBUILT-IN BASE-EMITTER RESISTORSComplement to KSE700/701/702/703ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector- Base Voltage VCBO : KSE800/801 60 V : KSE802/803 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO : K

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2N3055 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top