Справочник транзисторов. KSH112

 

Биполярный транзистор KSH112 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSH112
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
   Корпус транзистора: TO252
 

 Аналог (замена) для KSH112

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSH112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  fairchild semi
 ksh112.pdf pdf_icon

KSH112

KSH112D-PAK for Surface Mount Applications High DC Current Gain Built-in a Damper Diode at E-C Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix)D-PAK I-PAK11 Electrically Similar to Popular TIP1121.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted

 ..2. Size:24K  samsung
 ksh112.pdf pdf_icon

KSH112

KSH112 NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORD-PACK FOR SURFACE MOUNTD-PAKAPPLICATIONS High DC Current Gain Built-in a Damper Diode at E-C Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I. PACK, - I Suffix)1 Electrically Similar to Popular TIP112ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1. Base 2. Collector 3. EmitterCharacteristic Symbol Rating Un

 ..3. Size:256K  inchange semiconductor
 ksh112.pdf pdf_icon

KSH112

isc Silicon NPN Power Transistor KSH112DESCRIPTIONHigh DC current gainBuilt-in a damper diode at E-CElectrically similar to popular TIP112100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 9.1. Size:58K  fairchild semi
 ksh117.pdf pdf_icon

KSH112

KSH117D-PAK for Surface Mount Applications High DC Current Gain Built-in a Damper Diode at E-C Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix)D-PAK I-PAK11 Electrically Similar to Popular TIP1171.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSE700 , KSE701 , KSE702 , KSE703 , KSE800 , KSE801 , KSE802 , KSE803 , 2SC2073 , KSH112I , KSH117 , KSH117I , KSH122 , KSH122I , KSH127 , KSH127I , KSH13003 .

History: D39J1-3 | TN4403 | LMUN2131LT1G

 

 
Back to Top

 


 
.