KSH210 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KSH210
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO252
KSH210 Datasheet (PDF)
ksh210.pdf
KSH210 D-PAK for Surface Mount Applications High DC Current Gain Low Collector Emitter Saturation Voltage Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) D-PAK I-PAK 11 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VC
ksh210.pdf
KSH210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR D-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS High DC Current Gain D-PAK Low Collector Emitter Saturation Voltage Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I. PACK, - I Suffix) 1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit 1. Base 2. Collector 3. Emitter Collector Base Voltage VCBO - 40
ksh210.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
ksh210.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor KSH210 DESCRIPTION High DC current gain Built-in a damper diode at E-C Lead formed for surface mount applications(NO suffix) Straight lead(IPAK, I suffix) DPAK for surface mount applications 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier ABSO
Другие транзисторы... KSH122 , KSH122I , KSH127 , KSH127I , KSH13003 , KSH13003I , KSH200 , KSH200I , A940 , KSH210I , KSH29 , KSH2955 , KSH2955I , KSH29C , KSH29CI , KSH29I , KSH30 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a




