KSH42 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSH42  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для KSH42

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSH42 даташит

 0.1. Size:53K  fairchild semi
 ksh42c.pdf pdf_icon

KSH42

KSH42C General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) Electrically Similar to Popular TIP42C D-PAK I-PAK 11 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Coll

 0.2. Size:249K  inchange semiconductor
 ksh42c.pdf pdf_icon

KSH42

isc Silicon PNP Power Transistor KSH42C DESCRIPTION Lead formed for surface mount applications(NO suffix) Straight lead(IPAK, I suffix) Electrically similar to popular TIP42C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS General purpose amplifier Low speed switching applications ABSOLUTE MAXI

Другие транзисторы: KSH32I, KSH340, KSH340I, KSH350, KSH350I, KSH41, KSH41C, KSH41CI, 2SD669A, KSH42C, KSH42CI, KSH44H11, KSH44H11I, KSH45H11, KSH45H11I, KSH47, KSH47I