Биполярный транзистор KSH44H11I - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSH44H11I
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для KSH44H11I
KSH44H11I Datasheet (PDF)
ksh44h11i.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
KSH44H11General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK for Surface Mount Applications Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix)D-PAK I-PAK11 Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) Electrically Similar to Popular KSE44H1.Base 2.Collector 3.Emitter Fast Switching Speeds Low Collector Emitter Saturation Vo
ksh44h11i.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor KSH44H11IDESCRIPTIONStraight lead(IPAK,Isuffix)Electrically similar to popular KSE44HFast switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsPower amplifierConvertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME
ksh44h11.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
KSH44H11 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE POWER AND SWITCHINGD-PAKSUCH AS OUTPUT OR DRIVER STAGES INAPPLICATIONS D-PACK FOR SURFACEMOUNT APPLICATIONS Load Formed for Surface Mount Application(No Suffix) Straight Lead (I.PACK, - I Suffix) 1 Electrically Similar to Popular KSE44H Fast Switching Speeds Low Collector Emitter Saturation Voltage1
ksh44h11.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc Silicon NPN Power Transistor KSE44H11DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 60(Min)@ (V = 1V, I = 2A)FE CE CLow Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ (I = 8A, I = 0.4A)CE(sat) C BComplement to Type KSE45H11Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
![KSH44H11I](https://alltransistors.com/images/us.png)
![KSH44H11I](https://alltransistors.com/images/es.png)
![KSH44H11I](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ