Справочник транзисторов. KSH44H11I

 

Биполярный транзистор KSH44H11I - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSH44H11I
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для KSH44H11I

 

 

KSH44H11I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:42K  fairchild semi
ksh44h11i.pdf

KSH44H11I KSH44H11I

KSH44H11General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK for Surface Mount Applications Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix)D-PAK I-PAK11 Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) Electrically Similar to Popular KSE44H1.Base 2.Collector 3.Emitter Fast Switching Speeds Low Collector Emitter Saturation Vo

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
ksh44h11i.pdf

KSH44H11I KSH44H11I

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor KSH44H11IDESCRIPTIONStraight lead(IPAK,Isuffix)Electrically similar to popular KSE44HFast switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsPower amplifierConvertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME

 6.1. Size:43K  samsung
ksh44h11.pdf

KSH44H11I KSH44H11I

KSH44H11 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE POWER AND SWITCHINGD-PAKSUCH AS OUTPUT OR DRIVER STAGES INAPPLICATIONS D-PACK FOR SURFACEMOUNT APPLICATIONS Load Formed for Surface Mount Application(No Suffix) Straight Lead (I.PACK, - I Suffix) 1 Electrically Similar to Popular KSE44H Fast Switching Speeds Low Collector Emitter Saturation Voltage1

 6.2. Size:256K  inchange semiconductor
ksh44h11.pdf

KSH44H11I KSH44H11I

isc Silicon NPN Power Transistor KSE44H11DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 60(Min)@ (V = 1V, I = 2A)FE CE CLow Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ (I = 8A, I = 0.4A)CE(sat) C BComplement to Type KSE45H11Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top