KSH44H11I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSH44H11I  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для KSH44H11I

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSH44H11I даташит

 ..1. Size:42K  fairchild semi
 ksh44h11i.pdf pdf_icon

KSH44H11I

KSH44H11 General Purpose Power and Switching Such as Output or Driver Stages in Applications D-PAK for Surface Mount Applications Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) D-PAK I-PAK 11 Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) Electrically Similar to Popular KSE44H 1.Base 2.Collector 3.Emitter Fast Switching Speeds Low Collector Emitter Saturation Vo

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
 ksh44h11i.pdf pdf_icon

KSH44H11I

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor KSH44H11I DESCRIPTION Straight lead(IPAK, I suffix) Electrically similar to popular KSE44H Fast switching speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators Power amplifier Converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAME

 6.1. Size:43K  samsung
 ksh44h11.pdf pdf_icon

KSH44H11I

KSH44H11 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER AND SWITCHING D-PAK SUCH AS OUTPUT OR DRIVER STAGES IN APPLICATIONS D-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS Load Formed for Surface Mount Application(No Suffix) Straight Lead (I.PACK, - I Suffix) 1 Electrically Similar to Popular KSE44H Fast Switching Speeds Low Collector Emitter Saturation Voltage 1

 6.2. Size:256K  inchange semiconductor
 ksh44h11.pdf pdf_icon

KSH44H11I

isc Silicon NPN Power Transistor KSE44H11 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage V = 80V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 60(Min)@ (V = 1V, I = 2A) FE CE C Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ (I = 8A, I = 0.4A) CE(sat) C B Complement to Type KSE45H11 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSH350I, KSH41, KSH41C, KSH41CI, KSH42, KSH42C, KSH42CI, KSH44H11, 2SA1015, KSH45H11, KSH45H11I, KSH47, KSH47I, KSH50, KSH50I, KSP05, KSP06